Características Y Especificaciones Del Diodo PIN

En vista de su estructura, el diodo PIN o diodo p-i-n tiene algunas propiedades y características muy útiles introducidas por la capa intrínseca en su estructura entre las regiones de tipo n y de tipo p.

Como resultado de estas características, el diodo PIN se utiliza en una serie de áreas en las que sus propiedades y características lo hacen aplicable de forma única para una serie de aplicaciones.

Si bien las características del diodo PIN significan que no es adecuado para muchas aplicaciones estándar de rectificación, proporcionan algunas propiedades que pueden utilizarse en varias áreas específicas.

Características Y Especificaciones Del Diodo PIN

Características del diodo PIN

Hay una serie de características del diodo PIN que lo diferencian de otras formas de diodo. Estas características clave del diodo PIN son las siguientes:

  • Baja capacitancia: De nuevo la capa intrínseca aumenta el ancho de la región de agotamiento. Como la capacitancia de un condensador se reduce con el aumento de la separación, esto significa que un diodo PIN tendrá una capacitancia menor, ya que la región de agotamiento será más amplia que la de un diodo convencional. Esta característica del diodo PIN puede tener ventajas significativas en varias aplicaciones de RF, por ejemplo cuando se utiliza un diodo PIN como conmutador de RF.
  • Alto voltaje de ruptura: La amplia capa de agotamiento que proporciona la capa intrínseca garantiza que los diodos PIN tengan una característica de ruptura inversa alta.
  • Fotodetección sensible: El área sensible de un fotodiodo es la región de agotamiento. La luz que incide en la red cristalina puede liberar agujeros y electrones que son extraídos de la región de agotamiento por el sesgo inverso del diodo. Al tener una región de agotamiento más grande – como en el caso de un diodo PIN – el volumen para la recepción de la luz se incrementa. Esto hace que los diodos PIN sean ideales para su uso como fotodetectores.

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  • Almacenamiento de portadores: El almacenamiento de portador da una característica de diodo PIN muy útil. En el caso de señales pequeñas a altas frecuencias, las portadoras almacenadas dentro de la capa intrínseca no son barridas completamente por la señal de RF o la recombinación. En estas frecuencias no hay rectificación ni distorsión y la característica del diodo PIN es la de una resistencia lineal que no introduce ninguna distorsión ni rectificación. La resistencia del diodo PIN se rige por el sesgo de CC aplicado. De esta manera es posible utilizar el dispositivo como un interruptor de RF efectivo o una resistencia variable para un atenuador que produce mucha menos distorsión que los diodos de unión PN ordinarios.

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